收藏本站
CPH6350
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--30
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= -- 3A
ID= -- 3A, VGS= -- 10V
--1.2
5.4
33
--2.6
43
V
S
m Ω
Static Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 1.5A, VGS= -- 4.5V
ID= -- 1.5A, VGS= -- 4V
VDS=--10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--6A
IS=--6A, VGS=0V
58
61
600
145
110
7.4
27
62
45
13
1.8
3.2
--0.87
82
86
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --15V
ID= --3A
RL=5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
CPH6350
No. A1529-2/6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPH6354-TL-H MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
CPH6355-TL-H MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
CPH6442-TL-E MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
CPH6443-TL-H MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
CPH6444-TL-E MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
CPH6445-TL-E MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
CPPD-0.85-2 FREQ DOUBLER SMA 0.85~2.0GHZ
CPPD-2-4 FREQ DOUBLER SMA 2.0~4.0GHZ
相关代理商/技术参数
CPH6350-TL-W 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH6351 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6352 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6354 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH6354_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH6354-TL-H 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPH6354-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000
CPH6355 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications